PIE SCIENTIFIC Tergeo-plus等離子清潔器

更新時(shí)間：2023-11-14

瀏覽次數(shù)：705

Tergeo-Plus桌面等離子體系統(tǒng)

唯的一的不同的是Tergeo-plus和泰爾吉奧等離子清潔器是樣品室的大小和射頻功率。樣品室的內(nèi)徑從Tergeo中的4.3英寸/110毫米增加到Tergeo-plus中的6.3英寸/160毫米。樣品室的深度是相同的，例如11英寸/280毫米。

Tergeo-plus等離子清潔器的應(yīng)用與標(biāo)準(zhǔn)Tergeo等離子清潔器相似，只是它可以容納更大的樣品。以下是典型應(yīng)用列表:

引線接合、倒裝芯片底部填充、器件封裝和解封裝
用于碳質(zhì)污染物去除和氧化物還原的SEM/TEM樣品清潔
生物醫(yī)學(xué)涂層前表面處理和改善醫(yī)用植入物的親水性
環(huán)氧樹(shù)脂粘合前的光學(xué)、玻璃和基板清潔
光刻膠灰化、去渣和硅晶片清洗
PDMS、微流體、載玻片和芯片實(shí)驗(yàn)室
金屬與金屬或復(fù)合材料改進(jìn)結(jié)合
塑料、聚合物和復(fù)合材料改進(jìn)粘合

特點(diǎn):

德國(guó)萊茵TV認(rèn)證并確認(rèn)
UL、獨(dú)的立的選舉委員會(huì)和加空局
61010-1安全標(biāo)準(zhǔn)。
NRTL
順從！
大樣品室(內(nèi)徑:160毫米，長(zhǎng)280毫米)。足以容納一個(gè)4英寸的晶舟和一個(gè)6英寸的晶片。
清洗模式:直接模式和下游模式。用于兩種等離子體清洗模式的雙等離子體源。用于高速蝕刻和表面改性的直接模式等離子體清洗:遠(yuǎn)程/下游模式等離子體清洗，用于溫和去除表面污染物，例如SEM/TEM樣品清洗。
連續(xù)和脈沖等離子體。脈沖比可以從100%(連續(xù))變化到小于1%。Tergeo等離子體系統(tǒng)不僅能以1瓦的間隔調(diào)節(jié)射頻功率，還能產(chǎn)生連續(xù)的脈沖等離子體。改變等離子體強(qiáng)度幾個(gè)數(shù)量級(jí)以上。
操作方法:自動(dòng)配方執(zhí)行；自動(dòng)作業(yè)序列執(zhí)行；人工操作。
等離子體傳感器:雙等離子體強(qiáng)度傳感器(專(zhuān)的利的申請(qǐng)中)監(jiān)控原位等離子體源和遠(yuǎn)程等離子體源。等離子體強(qiáng)度實(shí)時(shí)顯示在LCD觸摸屏上。
先進(jìn)的過(guò)程控制功能:壓力傳感器、溫度傳感器、MFC中的氣體流量計(jì)、雙等離子體強(qiáng)度傳感器、自動(dòng)阻抗匹配。
腔體材料:鋁法蘭和厚壁高純度石英管增強(qiáng)了耐化學(xué)性，減少了耐熱玻璃中的堿性雜質(zhì)(鈣、鉀、鈉)。
樣品架:2mm厚的高純度石英板
腔體尺寸:內(nèi)徑:160毫米；外徑:170mm深度280毫米
射頻電極:與其他等離子清潔器中的內(nèi)部金屬電極相比，外部射頻電極和天線設(shè)計(jì)減少了金屬濺射。
射頻電源:13.56MHz高頻射頻電源，自動(dòng)阻抗匹配，用于原位等離子體源。射頻功率有三種選擇:13.56兆赫的150瓦、300瓦和500瓦。射頻功率可以1瓦為間隔進(jìn)行調(diào)整。13.56MHz射頻電源產(chǎn)生的等離子體密度比低效率的KHz電源高得多。
氣體輸入:最多三個(gè)MFC控制的氣體輸入(0~100sccm)。一個(gè)用于通風(fēng)和吹掃的附加端口。英制世偉洛克壓縮接頭連接器。
用戶(hù)界面:7英寸電阻觸摸屏，用手指觸摸，無(wú)需手寫(xiě)筆。
食譜和工作支持:總共20個(gè)可定制的食譜。作業(yè)序列中最多三個(gè)清洗步驟。

要求:

交流輸入:110V~230V通用交流電源支持
抽水口:NW/KF25
抽真空速度:2.0 cfm或更高。
真空泵的極限壓力:50mTorr或更低

返回列表

PIE SCIENTIFIC Tergeo-plus等離子清潔器

Tergeo-Plus桌面等離子體系統(tǒng)

Tergeo-plus等離子清潔器的應(yīng)用與標(biāo)準(zhǔn)Tergeo等離子清潔器相似，只是它可以容納更大的樣品。以下是典型應(yīng)用列表:

特點(diǎn):

要求:

Tergeo-plus等離子清潔器的應(yīng)用與標(biāo)準(zhǔn)Tergeo等離子清潔器相似，只是它可以容納更大的樣品。以下是典型應(yīng)用列表: